1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集於同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗小; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度係數,適合並聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗小; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度係數,適合並聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗小; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
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